Mae teneuo wafer yn gam allweddol mewn gweithgynhyrchu lled -ddargludyddion, a'i brif bwrpas yw cwrdd â gofynion perfformiad sglodion, pecynnu, afradu gwres, ac ati.
Tabl Cynnwys
Trwch wafer silicon
Manteision ar ôl i wafer deneuo
Proses deneuo wafer
Technoleg teneuo wafer
1. Trwch wafer silicon
Yn y broses pen blaen o weithgynhyrchu lled-ddargludyddion, mae angen i'r wafer gael digon o drwch i fodloni gofynion cryfder mecanyddol ac ystof fel y gellir ei drin a'i drosglwyddo o fewn a rhwng dyfeisiau.
150mm (6- modfedd) wafer
Trwch safonol: tua 675 micron
Ystod: fel arfer rhwng 650 micron a 700 micron
200mm (8- modfedd) wafer
Trwch safonol: tua 725 micron
Ystod: fel arfer rhwng 700 micron a 750 micron
300mm (12- modfedd) wafer
Trwch safonol: tua 775 micron
Ystod: fel arfer rhwng 750 micron ac 800 micron
2. Manteision Teneuo Wafer
Yn y cam pecynnu, er mwyn cwrdd â gofynion y broses becynnu, fel rheol mae angen teneuo'r wafer i tua 100 ~ 200 micron. Mae hyn oherwydd y gall y wafer teneuo ddod â'r manteision canlynol:
Lleihau cyfaint y pecyn: Mae wafferi teneuach yn helpu i gyflawni miniaturization pecynnu sglodion
Gwella effeithlonrwydd afradu gwres: mae wafferi tenau yn fwy ffafriol i echdynnu gwres o'r swbstrad
Lleihau straen mewnol: Gall teneuo leihau'r straen mewnol a gynhyrchir yn ystod gweithrediad y sglodyn, a thrwy hynny leihau'r risg o gracio sglodion
Gwella perfformiad trydanol: Gall wafferi tenau wneud y platio aur cefn yn agosach at yr awyren ddaear, a thrwy hynny optimeiddio perfformiad amledd uchel
Gwella'r cynnyrch deisio: Gall wafferi tenau leihau'r cyfaint prosesu yn ystod deisio pecyn ac osgoi diffygion fel cwymp ymyl a chwymp cornel
3. Proses deneuo wafer
Er mwyn sicrhau teneuo wafer, defnyddir malu mecanyddol, sgleinio mecanyddol cemegol (CMP) a phrosesau eraill fel arfer.
Mae proses benodol y broses deneuo yn cynnwys paratoi rhagarweiniol, gweithrediadau teneuo (megis malu garw, malu mân, sgleinio, ac ati), ac ôl-brosesu (megis tynnu gweddillion, mesur gwastadrwydd, archwilio ansawdd, ac ati).
Mewn technolegau pecynnu uwch fel 2.5D a phecynnu 3D, gall y trwch sglodion gofynnol fod mor isel â 30 micron hyd yn oed
4. Technoleg Teneuo Wafer
1. Dull malu mecanyddol
Malu mecanyddol yw un o'r dulliau teneuo wafer a ddefnyddir amlaf, sy'n tynnu deunydd gormodol ar gefn y wafer trwy ffrithiant corfforol. Mae'r dull hwn fel arfer yn cael ei rannu'n ddau gam: malu garw a malu mân:
Malu garw: Defnyddio olwynion malu diemwnt neu bond resin i gael gwared ar lawer iawn o ddeunydd ar gyflymder uchel
Malu mân: Defnyddio sgraffinyddion manylach a chyflymder malu is i fireinio wyneb y wafer ymhellach a lleihau garwedd. Manteision malu mecanyddol yw effeithlonrwydd a chyflymder uchel, sy'n addas ar gyfer cynhyrchu màs, ond a allai gyflwyno straen mecanyddol a difrod ar yr wyneb.
2. Sgleinio Mecanyddol Cemegol (CMP)
Mae CMP yn cyfuno effeithiau deuol ysgythriad cemegol a malu mecanyddol. Trwy effaith synergaidd slyri cemegol a pad sgleinio, mae'n tynnu morffoleg afreolaidd ar wyneb y wafer ac yn cyflawni planarization uchel. Gall CMP ddarparu cywirdeb rheolaeth uwch ac ansawdd arwyneb, ac mae'n addas ar gyfer gweithgynhyrchu cylched integredig gyda gofynion ansawdd wyneb uchel iawn.
3. Ysgythriad Gwlyb
Mae ysgythriad gwlyb yn defnyddio cemegolion hylif neu etchants i gael gwared ar haenau deunydd penodol ar y wafer yn ddetholus trwy adweithiau cemegol. Mae wedi'i rannu'n ysgythriad isotropig ac ysgythriad anisotropig. Manteision ysgythru gwlyb yw detholusrwydd uchel a galluoedd rheoli cain, a all sicrhau cywirdeb prosesu ar lefel nano ar wyneb y wafer.
4. Ysgythriad sych
Mae ysgythriad sych yn defnyddio trawstiau plasma neu ïon i gael gwared ar ddeunyddiau, ac mae ganddo nodweddion manwl gywirdeb uchel a detholusrwydd uchel. Mae'n addas ar gyfer teneuo wafer sy'n gofyn am strwythurau manwl gywir a chymhleth.
5. Teneuo laser
Mae technoleg teneuo laser yn defnyddio dwysedd ynni uchel y trawst laser i gael gwared ar ddeunyddiau trwy weithredu thermol neu ffotocemegol. Gall y dull hwn sicrhau teneuo lleol ac mae'n addas ar gyfer prosesu ardaloedd penodol yn iawn.
